Advanced Packaging em GaAs – O INL desenvolveu uma solução de “Temporary Wafer Bonding” (TWB) para wafers de GaAs, escalável para o processamento em volume e multi-wafer em painel.
Em TWB, a wafer é colada sobre um carrier de vidro, que permite o seu manuseamento durante o processo de “Re-Distribution Layer” (RDL), uma das fases principais do Advanced Packaging. O desenvolvimento de TWB para GaAs englobou a procura do tipo de vidro apropriado para o carrier e o adesivo, capazes de suportar o stress termomecânico e químico do processo RDL; o método de bonding e de de-bonding entre carrier e wafer; a demonstração da robustez mecânica do conjunto carrier-wafer a ciclos térmicos; e a garantia de elevada condutividade elétrica carrier-wafer.
A figura mostra uma wafer de GaAs, Æ150mm, montada sobre um carrier de vidro de Æ200mm. O conjunto está coberto com um filme fino de cobre (100nm) que serve de cátodo para o processo de eletrodeposição. O ponto crítico é a continuidade elétrica do filme fino através da aresta de união entre o carrier e a wafer, de modo a garantir um processo de eletrodeposição uniforme na superfície da wafer de GaAs.
