Advanced Packaging in GaAs -INL hat eine „Temporary Wafer Bonding“-Lösung (TWB) für GaAs-Wafer entwickelt, die für die Massenproduktion und die Verarbeitung mehrerer Wafer auf Panelebene skalierbar ist.
Bei TWB wird der Wafer an einem Glasträger befestigt, um seine Handhabung während des „Re-Distribution Layer“-Prozesses (RDL), einer der Hauptphasen des Advanced Packaging, zu ermöglichen. Die Entwicklung von TWB für GaAs umfasste die Suche nach einem geeigneten Glastyp für den Träger und den Klebstoff, der den thermomechanischen und chemischen Belastungen des RDL-Prozesses standhält, die Methode für das Bonding und De-Bonding von Wafer und Träger, die Demonstration der mechanischen Robustheit des Träger-Wafer-Stapels bei thermischen Belastungszyklen und die Gewährleistung einer hohen elektrischen Leitfähigkeit von Träger und Wafer.
Die Abbildung zeigt einen Æ150mm GaAs-Wafer, der auf einen Æ200mm Glasträger montiert ist. Die Oberfläche des Wafers ist mit einem dünnen Film aus gesputtertem Cu (100 nm) bedeckt, der als Kathode für den Galvanisierungsprozess dient. Der kritische Punkt ist die elektrische Kontinuität des dünnen Films an der Grenzfläche zwischen Träger und Wafer, um einen gleichmäßigen Galvanisierungsprozess auf der GaAs-Wafer-Oberfläche zu gewährleisten.
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